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Rac 2 (L-10): sc-23121
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SC-23121
Rac 2 (L-10): sc-23121
ETC [ETC]
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1 清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生，在酸性溶液中不易发生，并具有较强的去除晶片表面金属的能力，但经sc-1洗后虽能去除cu等金属，而晶片表面形成的自然氧化膜的附着（特别是al）问题还未解决。2 硅片表面经sc-2液洗后，表面si大部分以 o 键为终端结构，形成一层自然氧化膜，呈亲水性。3 由于晶片表面的sio2和si不能被腐蚀，因此不能达到去除粒子的效果。a.实验表明： 据报道将经过sc-2液，洗后的硅片分别放到添加cu的dhf清洗或hf+h2o2清洗液中清洗、硅片表面的cu浓度用dhf液洗为1014 原子/cm2，用hf+h2o2洗后为1010 原子/cm2。即说明用hf+h2o2液清洗去除金属的能力比较强，为此近几年大量报导清洗技术中，常使用hf+h2o2来代替dhf清洗。 来源:零八我的爱
3为基础的硅片化学清洗技术。 目前常用h2o2作强氧化剂，选用hcl作为h+的来源用于清除金属离子。 sc-1是h2o2和nh4oh的碱性溶液，通过h2o2的强氧化和nh4oh的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除。 由于溶液具有强氧化性和络合性，能氧化cr、cu、zn、ag、ni、co、ca、fe、mg等 使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。 为此用sc-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。 sc-2是h2o2和hcl的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与氧以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与cl-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。 在使用sc-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的效果。 总结: 1. 用rca法清洗对去除粒子有效，但对去除金属杂质al、fe效果很小。2. dhf清洗不能充分去除cu，hpm清洗容易残留al。3. 有机物，粒子、金属杂质在一道工序中被全部去除的清洗方法，目前还不能实现。4. 为了去除粒子，应使用改进的sc-1液
传统的rca清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统 清洗工序： sc-1 → dhf → sc-2 1. sc-1清洗去除颗粒：⑴ 目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质。⑵ 去除颗粒的原理： 硅片表面由于h2o2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被nh4oh腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。① 自然氧化膜约0.6nm厚，其与nh4oh、h2o2浓度及清洗液温度无关。② sio2的腐蚀速度，随nh4oh的浓度升高而加快，其与h2o2的浓度无关。③ si的腐蚀速度，随nh4oh的浓度升高而快，当到达某一浓度后为一定值，h2o2浓度越高这一值越小。④ nh4oh促进腐蚀，h2o2阻碍腐蚀。⑤ 若h2o2的浓度一定，nh4oh浓度越低，颗粒去除率也越低，如果同时降低h2o2浓度,可抑制颗粒的去除率的下降。⑥ 随着清洗洗液温度升高，颗粒去除率也提高，在一定温度下可达最大值。⑦ 颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关，为确保颗粒的去除要有一 定量以上的腐蚀。⑧ 超声波清洗时，由于空洞
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