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  • Vishay推出功率MOSFETSi7633DP与Si7135DP

    0v时)和19.5%(在4.5v 时)。 这次推出的两款mosfet均采用powerpak so-8封装,可容许比其它so-8封装器件高60%的最大漏电流和高75%的最大功率损耗。 这两款新型器件可用作适配器切换开关,用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器切换开关(在适配器/墙壁电源和电池电源间切换)一直处于导通状态,消耗电流。si7633dp 和si7135dp的低导通电阻能耗低,节省电力并延长两次充电间的电池可用时间。 vishay还推出了采用so-8封装的si4459ady 30v p通道trenchfet功率mosfet。该器件具有5mω(在10v时)和7.75mω(在4.5v时)的导通电阻。此次推出的所有器件100%通过rg和uis认证,且不含卤素。 目前,该新型si7633dp和si7135dp trenchfet功率mosfet可提供样品,并已实现量产,大宗订单的供货周期为10至12周。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com)

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