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ST推出STV250N55F3新款250A表面贴装功率MOSFET
℃时，封装的额定功率为300w。新产品的高额定电流可允许工程师设计多个并联的mosfet，达到节省电路板空间和材料成本的目的。标准驱动阈值还有助于简化驱动电路的设计。stv250n55f3适用于高达55v的应用。高达175℃的工作温度使stv250n55f3适用于高电流的电力牵引设备，如堆高机、高尔夫球车和电动拖板车以及割草机、电动轮椅和电动单车等。新产品在晶圆和成品阶段都经过100%的崩溃测试，可确保晶片的可靠性和稳固性。在同一个系列产品，st还有一款55v的产品stv200n55f3，此产品的额定连续汲极电流为200a，且其源极连线配置为4线。 stv250n55f3样品已供应中，预计于2008年第3季开始量产。
ST新推250A表面安装的功率MOSFET，具有最低导通电阻
在25℃时，封装的额定功率为300w。新产品的高额定电流可允许工程师设计多个并联的mosfet，达到节省电路板空间和材料成本的目的。标准驱动阈值还有助于简化驱动电路的设计。stv250n55f3适用于高达55v的应用。高达175℃的工作温度使stv250n55f3适用于高电流的电力牵引设备，如堆高机、高尔夫球车和电动拖板车以及割草机、电动轮椅和电动单车等。新产品在晶圆和成品阶段都经过100%的崩溃测试，可确保芯片的可靠性和稳固性。在同一个系列产品，st还有一款55v的产品stv200n55f3，此产品的额定连续汲极电流为200a，且其源极联机配置为4线。stv250n55f3样品已供应中，预计于2008年第3季开始量产。

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stv200n55f3价格行情

stv200n55f3中文资料

特色产品:

标准包装:

类别:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特点:

漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

其它名称:

ST推出STV250N55F3新款250A表面贴装功率MOSFET

ST新推250A表面安装的功率MOSFET，具有最低导通电阻

stv200n55f3替代型号

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