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tc58v64的读操作如图1所示。随着指令,利用节指定读出开始地址,开始进行数据读操作,地址及指令在we信号的上升沿被锁存。 图1 tc58v64的读操作 读操作时地址的指定方法如表1所示。最先给予的数据称为列地址,后面的两个周期中所给予的数据称为页地址。tc58v64的存储器具有1024个块,由于各个块又分割成16个页,所以a22~a13为块号(块地址),a12~a19为块内的页号(块内的nand地址)。 表1 指定地址的方法 读指令如果是00h,则a8=“0”,如果读指令为01h,则a8=“1”,所以没有指定 a8的位。 a22~al13:块地址 a12~a9:块内nand地址}页地址 a7~a0:列地址 这里有意思的是a8没有指定,而1页的大小为528字节,大于512。这样a9就成为了页地址。 在此,将一页(528字节)分成256+256+16这样的结构(假设称为段)可能更容易理解。根据从一页的哪个段开始读,指令将被分离,读指令具有3个种类(00h,01h,50h)正是因为这个原因。而从各个段中的什么部位开始读是由列地址过渡的。当
tc58v64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大,则块数也将增加,但内部的基本结构没有改变。 图 tc58v64的内部结构 nand闪速存储器的特点 ①按顺序存取数据; ②存储器内部以块为单元进行分割,而各块又以页为单位进行分割; ③以块为单位进行擦除操作; ④以页为单位进行编程(写人); ⑤页的大小存在尾数(tc28v64是roodzj字节); ⑥也存在有坏块(bad block)的产品。 以nand闪速存储器为主的用途是类似硅盘那样的文件保存器件。所谓的528写入页大小,就是在512字节(相当于一般的硬盘扇区大小)上增加了16字节的冗余数据字节,通过在这些冗余字节上添加纠错码,在写人与擦除的重复操作中,即使闪速存储器单元发生异常,数据也可以复原。 另外,作为擦除的单位,即一块16页(转变为数据大小就是512字节×16=8k)最好与主机端的文件管理单位一致。 当读者看到特点⑥,即和普通存储器器件特点相同的最后一条,应该稍微有些吃惊吧。在产品供货期间,所有数据未成为ffh的块都作为坏块不进行擦除操作,必须做到在主机的文件管理软件中不利用这些
机自动识别与总线连接的器件的制造商名称/器件型号而设置的。id读指令用于读取该id代码。 图1图示了id读操作的流程。图2图示了发送id读指令的操作。 图1 id读指令的躁作流程 图2 id读指令的操作 在读取id时,发送id读指令(90h)之后,写人00h作为地址。由于90h是指令,所以虽然将ole设为有效(高电平),但由于紧跟着的00h是地址值,所以cle无效(低电平),而ale有效(高电平)。 完成这样的流程后,通过下面2次的读取,可以读出制造商代码(tc58v64为98h)和器件代码(tc58v64为e6h)。 欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com) 来源:ks99