TN0201T-T1-GE3
150000
SOT23/21+
原装现货,价格优势,支持bom表配单
TN0201T-T1-GE3
19320
SOT23/2022+
原装现货 可含税 可配套 样品可拆
TN0201T-T1-E3
3000
23/21+
进口原装
TN0201T
60000
SOT23/23+
原装无铅现货/特价销售
TN0201T
15000
SOT23/2021+
原装有意者来电或QQ来电
TN0201T
15000
SOT23/18+
只做原装,也只有原装
TN0201T
6500
21+/23+
只做原装现货
TN0201T
5000
N/A/22+
只做原装欢迎监督
TN0201T
5000
-/24+
华为超级供应商,7*24小时技术支持,一站式服务
TN0201T
3000
-/05+
公司现货只做原装
TN0201T
60701
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深圳原装现货,可看货可提供拍照
TN0201T
31200
-/24+
房间现货,诚信经营,提供BOM配单服务
TN0201T
12260
-/23+
高品质 优选好芯
TN0201T
80000
-/23+
原装现货
TN0201T
50000
SOT23/23+ROHS
原装,原厂渠道,十年BOM配单专家
TN0201T
5000
-/22+
现货假一罚万只做原厂原装现货
TN0201T
5000
-/22+
宽宏博大,通达天下
TN0201T
20000
SOT23/24+
品牌专营公司现货特价支持原装进口假一赔十支持
TN0201T
5000
-/23+
优势产品大量库存原装现货
到的电流只有两个级别,一个是零点几个微安,一个是几十微安,因此一般要求能提供微安级以下的电流。另外,电源的稳定度对整个ic测试参数的影响很大,因此,在测试时尽量使用稳定性好的电源。 本设计的特点 本设计有以下三个特点。 ● 在测试ic过充、过放和过流的延迟时利用开关将电阻短路或开路来实现电路电源的突变,并且利用示波器同时抓电源和oc、od跳变波形图来测量延迟时间。 ● 为了实现测试oc、od高、低电平时向引脚吸、灌电流,本电路用mosfet做了两个简单的微电流源,选用的mosfet型号为tn0201t,利用栅级电压控制漏、源级电流,以漏、源级电流为电流源,精度可以达到0.1μa,基本可以满足测试的需要。 ● 测试过流保护电压时,即测试使od引脚从高电平跳变为低电平的cs引脚电压。短流保护电压远高于过流保护电压,当电压达到过流保护电压时电路已经发生跳变,od输出一直为低电平,因此常规方法无法测试出短流保护电压,于是,本文采用了一种间接的近似测试方法。ic对过电流保护的延迟时间大概为几个到十几个毫秒,而短流延迟时间则大概为十几个微秒,因此可以根据过流延迟时间与短流延迟时间的不同来近似测试短流保
到的电流只有两个级别,一个是零点几个微安,一个是几十微安,因此一般要求能提供微安级以下的电流。另外,电源的稳定度对整个ic测试参数的影响很大,因此,在测试时尽量使用稳定性好的电源。 本设计的特点 本设计有以下三个特点。 ● 在测试ic过充、过放和过流的延迟时利用开关将电阻短路或开路来实现电路电源的突变,并且利用示波器同时抓电源和oc、od跳变波形图来测量延迟时间。 ● 为了实现测试oc、od高、低电平时向引脚吸、灌电流,本电路用mosfet做了两个简单的微电流源,选用的mosfet型号为tn0201t,利用栅级电压控制漏、源级电流,以漏、源级电流为电流源,精度可以达到0.1μa,基本可以满足测试的需要。 ● 测试过流保护电压时,即测试使od引脚从高电平跳变为低电平的cs引脚电压。短流保护电压远高于过流保护电压,当电压达到过流保护电压时电路已经发生跳变,od输出一直为低电平,因此常规方法无法测试出短流保护电压,于是,本文采用了一种间接的近似测试方法。ic对过电流保护的延迟时间大概为几个到十几个毫秒,而短流延迟时间则大概为十几个微秒,因此可以根据过流延迟时间与短流延迟时间的不同来近似测试短流保
到的电流只有两个级别,一个是零点几个微安,一个是几十微安,因此一般要求能提供微安级以下的电流。另外,电源的稳定度对整个ic测试参数的影响很大,因此,在测试时尽量使用稳定性好的电源。 本设计的特点 本设计有以下三个特点。 ● 在测试ic过充、过放和过流的延迟时利用开关将电阻短路或开路来实现电路电源的突变,并且利用示波器同时抓电源和oc、od跳变波形图来测量延迟时间。 ● 为了实现测试oc、od高、低电平时向引脚吸、灌电流,本电路用mosfet做了两个简单的微电流源,选用的mosfet型号为tn0201t,利用栅级电压控制漏、源级电流,以漏、源级电流为电流源,精度可以达到0.1μa,基本可以满足测试的需要。 ● 测试过流保护电压时,即测试使od引脚从高电平跳变为低电平的cs引脚电压。短流保护电压远高于过流保护电压,当电压达到过流保护电压时电路已经发生跳变,od输出一直为低电平,因此常规方法无法测试出短流保护电压,于是,本文采用了一种间接的近似测试方法。ic对过电流保护的延迟时间大概为几个到十几个毫秒,而短流延迟时间则大概为十几个微秒,因此可以根据过流延迟时间与短流延迟时间的不同来近似测试短流保
电流参数:ID=0.39A/IDM=0.75A电压参数:UDG=20V/UGS=±20V功 率:PD=0.35W其他参数:10V/0.75Ω,4.5V/1Ω极 性:N
0.39A/20V
要用到的电流只有两个级别,一个是零点几个微安,一个是几十微安,因此一般要求能提供微安级以下的电流。另外,电源的稳定度对整个ic测试参数的影响很大,因此,在测试时尽量使用稳定性好的电源。 本设计的特点 本设计有以下三个特点。 ● 在测试ic过充、过放和过流的延迟时利用开关将电阻短路或开路来实现电路电源的突变,并且利用示波器同时抓电源和oc、od跳变波形图来测量延迟时间。 ● 为了实现测试oc、od高、低电平时向引脚吸、灌电流,本电路用mosfet做了两个简单的微电流源,选用的mosfet型号为tn0201t,利用栅级电压控制漏、源级电流,以漏、源级电流为电流源,精度可以达到0.1μa,基本可以满足测试的需要。 ● 测试过流保护电压时,即测试使od引脚从高电平跳变为低电平的cs引脚电压。短流保护电压远高于过流保护电压,当电压达到过流保护电压时电路已经发生跳变,od输出一直为低电平,因此常规方法无法测试出短流保护电压,于是,本文采用了一种间接的近似测试方法。ic对过电流保护的延迟时间大概为几个到十几个毫秒,而短流延迟时间则大概为十几个微秒,因此可以根据过流延迟时间与短流延迟时间的不同来近似测试短流保护
两个级别,一个是零点几个微安,一个是几十微安,因此一般要求能提供微安级以下的电流。另外,电源的稳定度对整个ic测试参数的影响很大,因此,在测试时尽量使用稳定性好的电源。 本设计的特点 本设计有以下三个特点。 ● 在测试ic过充、过放和过流的延迟时利用开关将电阻短路或开路来实现电路电源的突变,并且利用示波器同时抓电源和oc、od跳变波形图来测量延迟时间。 ● 为了实现测试oc、od高、低电平时向引脚吸、灌电流,本电路用mosfet做了两个简单的微电流源,选用的mosfet型号为tn0201t,利用栅级电压控制漏、源级电流,以漏、源级电流为电流源,精度可以达到0.1μa,基本可以满足测试的需要。 ● 测试过流保护电压时,即测试使od引脚从高电平跳变为低电平的cs引脚电压。短流保护电压远高于过流保护电压,当电压达到过流保护电压时电路已经发生跳变,od输出一直为低电平,因此常规方法无法测试出短流保护电压,于是,本文采用了一种间接的近似测试方法。ic对过电流保护的延迟时间大概为几个到十几个毫秒,而短流延迟时间则大概为十几个微秒,因此可以根据过流延迟时间与短流延迟时间的不同来近似测试短流保