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功率mosfet至少能承受700v的高压,同时还必须在漏极增加钳位电路,用以吸收尖峰电压,保护top222g中的功率mosfet。本电源的钳位电路由d2、d3组成。其中d2为瞬态电压抑制器(tvs)p6ke200,d3为超快恢复二极管uf4005。当mosfet导通时,原边电压上端为正,下端为负,使得d3截止,钳位电路不起作用。在mosfet截止瞬间,原边电压变为下端为正,上端为负,此时d1导通,电压被限制在200v左右。 输出环节设计 以+5v输出环节为例,次级线圈上的高频电压经过uf5401型100v/3a的超快恢复二极管d7,由于+5v输出功率相对较大,于是增加了后级lc滤波器,以减少输出纹波电压。滤波电感l2选用被称作"磁珠"的3.3μh穿心电感,可滤除d7在反向恢复过程中产生的开关噪声。 对于其他两路输出,只需在输出端分别加上滤波电容。其中r3、r4分别为输出的假负载,它们能降低各自输出端的空载和轻载电压。 反馈环节设计 反馈同路主要由pc817和tl431及若干电容、电阻构成。其中u2为tl431,它为可调试精密并联稳压器,利用电阻r5、r6分压获得基准电
极快速整流二极管,100V,3A
3.0A/100V