VRS51L3174
192
TQFP/2023+
终端可免费供样，支持BOM配单
VRS51L3174
7619
-/22+
原厂原装现货
VRS51L3174
18000
SOIC/2023+
13%原装
VRS51L3174
20000
SOIC/22+
奥利腾只做原装正品，实单价优可谈
VRS51L3174
3000
-/2019+
原装 部分现货量大期货
VRS51L3174
20000
TQFP/2023+
13%原装
VRS51L3174
20000
SOIC/21+
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VRS51L3174
18000
SOIC/2023+
13%原装
VRS51L3174
FRAM Enhanced High Performance 8051 ...
RAMTRON [Ramtron International Corporation]
VRS51L3174PDF下载
VRS51L3174 (NRND)
(Rev. 2.01)
Ramtron
VRS51L3174 (NRND)PDF下载
全球的非易失性铁电随机存取存储器 (fram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出vrs51l3174这款基于8051微控制器，带有8kb非易失性fram内存，工业标准的44脚qfp封装，可以简便的实现器件升级。ramtron已将fram加入于其高速灵活的versa 8051s中，以支持高速及可靠的非易失性数据存储和处理系统，而该系统只有fram-enhanced (增强型) mcu才能提供。 vrs51l3174将8kb fram内存与全集成的高性能系统级芯片结合，其特性包括先进的40 mips单周期8051内核、同时具有isp和iap编程功能的64kb闪存、4kb sram、数字信号处理 (dsp) 扩展能力及丰富的数字外围设备。vrs51l3174在整个工业温度范围内以3.3v电压工作，是理想的嵌入式数据采集解决方案，可广泛地应用于从传感检测与计量到工业控制、仪器和医疗设备等领域。 vrs51l3174特性 8k x 8 fram： 8kb真正的非易失性ram (无需电池/特大电容便可保存
非易失性铁电随机存取存储器 (fram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出vrs51l3174这款基于8051微控制器，带有8kb非易失性fram内存，工业标准的44脚qfp封装，可以简便的实现器件升级。ramtron已将fram加入于其高速灵活的versa 8051s中，以支持高速及可靠的非易失性数据存储和处理系统，而该系统只有fram-enhanced™ (增强型) mcu才能提供。 vrs51l3174将8kb fram内存与全集成的高性能系统级芯片结合，其特性包括先进的40 mips单周期8051内核、同时具有isp和iap编程功能的64kb闪存、4kb sram、数字信号处理 (dsp) 扩展能力及丰富的数字外围设备。vrs51l3174在整个工业温度范围内以3.3v电压工作，是理想的嵌入式数据采集解决方案，可广泛地应用于从传感检测与计量到工业控制、仪器和医疗设备等领域。 vrs51l3174特性 8k x 8 fram：8kb真正的非易失性ram (无需电池/特大电容
ramtron international corporation宣布推出vrs51l3174这款基于8051微控制器，带有8kb非易失性fram内存，工业标准的44脚qfp封装，可以简便的实现器件升级。ramtron已将fram加入于其高速灵活的versa 8051s中，以支持高速及可靠的非易失性数据存储和处理系统，而该系统只有fram-enhanced™ (增强型) mcu才能提供。 vrs51l3174将8kb fram内存与全集成的高性能系统级芯片结合，其特性包括先进的40 mips单周期8051内核、同时具有isp和iap编程功能的64kb闪存、4kb sram、数字信号处理 (dsp) 扩展能力及丰富的数字外围设备。vrs51l3174在整个工业温度范围内以3.3v电压工作，是理想的嵌入式数据采集解决方案，可广泛地应用于从传感检测与计量到工业控制、仪器和医疗设备等领域。 vrs51l3174特性 8k x 8 fram：8kb真正的非易失性ram (无需电池/特大电容便可保存数据) 映射到vrs51l3174的xram存储器上，具有访问简单、读写速度快和读写寿命无限的
8051高性能单周期处理器(40MIPS)；64KB的Flash程序存储器(支持ISP/IAP)；4352字节的SRAM(4KB＋756B)；8192字节的片内FRAM存储器；JTAG接口，用于程序下载和在线调试；带桶式移位器的MULT/DIV/ACCU单元；40个通用I/O口；2个串行UART，2个16位波特率发生器；增强型SPI接口(支持1～32位传输)；完全可配置的I2C接口(支持主机、从机方式)；16个外部中断引脚(支持端口状态翻转中断)；16位通用定时器/计数器；2个脉冲宽度计数器模块；8个带独立定时器的PWM控制器输出；PWM可用作通用定时器；精确的内部振荡器；系统时钟频率可动态调节；集成省电功能；上电复位/掉电检测；看门狗定时器；工作电压：3.0～3.6V；工作温度：－40～＋85℃
非易失性铁电随机存取存储器(fram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出vrs51l3174这款基于8051微控制器，带有8kb非易失性fram内存，工业标准的44脚qfp封装，可以简便的实现器件升级。ramtron已将fram加入于其高速灵活的versa 8051s中，以支持高速及可靠的非易失性数据存储和处理系统，而该系统只有fram-enhanced(增强型)mcu才能提供。 vrs51l3174将8kb fram内存与全集成的高性能系统级芯片结合，其特性包括40 mips单周期8051内核、同时具有isp和iap编程功能的64kb闪存、4kb sram、数字信号处理(dsp)扩展能力及丰富的数字外围设备。vrs51l3174在整个工业温度范围内以3.3v电压工作，可广泛地应用于从传感检测与计量到工业控制、仪器和医疗设备等领域。 vrs51l3174特性 8k×8 fram：8kb真正的非易失性ram(无需电池/特大电容便可保存数据) 映射到vrs51l3174的xram存储器上，具有访问
非易失性铁电随机存取存储器(fram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出vrs51l3174这款基于8051微控制器，带有8kb非易失性fram内存，工业标准的44脚qfp封装，可以简便的实现器件升级。ramtron已将fram加入于其高速灵活的versa 8051s中，以支持高速及可靠的非易失性数据存储和处理系统，而该系统只有fram-enhanced(增强型)mcu才能提供。 vrs51l3174将8kb fram内存与全集成的高性能系统级芯片结合，其特性包括40 mips单周期8051内核、同时具有isp和iap编程功能的64kb闪存、4kb sram、数字信号处理(dsp)扩展能力及丰富的数字外围设备。vrs51l3174在整个工业温度范围内以3.3v电压工作，可广泛地应用于从传感检测与计量到工业控制、仪器和医疗设备等领域。 vrs51l3174特性 8k×8 fram：8kb真正的非易失性ram(无需电池/特大电容便可保存数据) 映射到vrs51l3174的xra
ramtron international corporation宣布推出vrs51l3174这款基于8051微控制器，带有8kb非易失性fram内存，工业标准的44脚qfp封装，可以简便的实现器件升级。ramtron已将fram加入于其高速灵活的versa 8051s中，以支持高速及可靠的非易失性数据存储和处理系统，而该系统只有fram-enhanced™ (增强型) mcu才能提供。 vrs51l3174将8kb fram内存与全集成的高性能系统级芯片结合，其特性包括先进的40 mips单周期8051内核、同时具有isp和iap编程功能的64kb闪存、4kb sram、数字信号处理 (dsp) 扩展能力及丰富的数字外围设备。vrs51l3174在整个工业温度范围内以3.3v电压工作，是理想的嵌入式数据采集解决方案，可广泛地应用于从传感检测与计量到工业控制、仪器和医疗设备等领域。 vrs51l3174特性 8k x 8 fram：8kb真正的非易失性ram (无需电池/特大电容便可保存数据) 映射到vrs51l3174的xram存储器上，具有访问简单、读写速度
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