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  • Zetex高性能晶体管有效提升电源功率密度

    2.5 x 3mm,板外高度只有1mm。它们可提供更低的饱和电压和更高的电流增益保持,有助于改善电路效率和降低工作温度。 zetex亚太区销售副总裁李锦华表示:“我们最新的双极晶体管能够支持20v至100v的工作电压,使mosfet栅极能以更高速度、更具效率地运行,胜过同类cmos集成电路。它们同时还具有抗锁定功能,从而提升整个系统的可靠性。另外,由于产品采用sot23ff封装,因此可以安装在最靠近mosfet的位置,有助于降低线路电感和振铃效应。” 20v的 zxtn19020cff和zxtp19020cff能保证在7a和5a电流下分别提供100和110的增益。如果采用共发射极配置连接,它们更能提供极快速的切换,传播时间少于2ns,升降时间在10ns和20ns之间。该类产品的峰值电流性能高达15a,是用于栅极驱动集成电路极具成本效益的替代产品。 在用于p ol dc-dc模块和应急照明设备的、采用自振荡和推挽拓朴结构的饱和式开关应用中,晶体管的低饱和电压能力可提供显著的优势。以额定电压为60v的 zxtn19060cff npn产品为例,它在1a电流和10ma基极驱动下的饱和电压仅为150mv,

  • Zetex新推高功率微型NPN及PNP晶体管

    外高度只有1mm。它们可提供更低的饱和电压和更高的电流增益保持,有助于改善电路效率和降低工作温度。 zetex亚太区销售副总裁李锦华表示:“我们最新的双极晶体管能够支持20v至100v的工作电压,使mosfet栅极能以更高速度、更具效率地运行,胜过同类cmos集成电路。它们同时还具有抗锁定功能,从而提升整个系统的可靠性。另外,由于产品采用sot23ff封装,因此可以安装在最靠近mosfet的位置,有助于降低线路电感和振铃效应。” 20v的zxtn19020cff和zxtp19020cff能保证在7a和5a电流下分别提供100和110的增益。如果采用共发射极配置连接,它们更能提供极快速的切换,传播时间少于2ns,升降时间在10ns和20ns之间。该类产品的峰值电流性能高达15a,是用于栅极驱动集成电路极具成本效益的替代产品。 在用于pol dc-dc模块和应急照明设备的、采用自振荡和推挽拓朴结构的饱和式开关应用中,晶体管的低饱和电压能力可提供显著的优势。以额定电压为60v的zxtn19060cff npn产品为例,它在1a电流和10ma基极驱动下的饱和电压仅为15

  • Zetex推出高性能晶体管ZXTN19020CFF/ZXTP19020CFF

    zetex推出一系列微型npn及pnp晶体管,以迎合新一代电源设备中mosfet栅极驱动需求。全新的zxtn及zxtp晶体管是首次采用sot23ff封装的双极器件,占板面积为2.5 x 3mm,板外高度只有1mm。它们可提供更低的饱和电压和更高的电流增益保持,有助于改善电路效率和降低工作温度。 20v的 zxtn19020cff和zxtp19020cff能保证在7a和5a电流下分别提供100和110的增益。如果采用共发射极配置连接,它们更能提供极快速的切换,传播时间少于2ns,升降时间在10ns和20ns之间。该类产品的峰值电流性能高达15a,是用于栅极驱动集成电路极具成本效益的替代产品。 在用于pol dc-dc模块和应急照明设备的、采用自振荡和推挽拓朴结构的饱和式开关应用中,晶体管的低饱和电压能力可提供显著的优势。以额定电压为60v的zxtn19060cff npn产品为例,它在1a电流和10ma基极驱动下的饱和电压仅为150mv,在2a电流和40ma基极驱动下为 135mv。 详情请访问: www.zetex.com。 来源:零八我的爱

  • Zetex新推高功率微型NPN及PNP晶体管

    mm,板外高度只有1mm。它们可提供更低的饱和电压和更高的电流增益保持,有助于改善电路效率和降低工作温度。 zetex亚太区销售副总裁李锦华表示:“我们最新的双极晶体管能够支持20v至100v的工作电压,使mosfet栅极能以更高速度、更具效率地运行,胜过同类cmos集成电路。它们同时还具有抗锁定功能,从而提升整个系统的可靠性。另外,由于产品采用sot23ff封装,因此可以安装在最靠近mosfet的位置,有助于降低线路电感和振铃效应。” 20v的zxtn19020cff和zxtp19020cff能保证在7a和5a电流下分别提供100和110的增益。如果采用共发射极配置连接,它们更能提供极快速的切换,传播时间少于2ns,升降时间在10ns和20ns之间。该类产品的峰值电流性能高达15a,是用于栅极驱动集成电路极具成本效益的替代产品。 在用于pol dc-dc模块和应急照明设备的、采用自振荡和推挽拓朴结构的饱和式开关应用中,晶体管的低饱和电压能力可提供显著的优势。以额定电压为60v的zxtn19060cff npn产品为例,它在1a电流和10ma基极驱动下的饱和电压仅为150m

  • 无源元件市场平静中涌荡着波澜

    n薄膜型的尺寸为1.6×0.8mm(eia规范:0603)。导线缠绕型变压器 与传统变压器相比,要求的安装空间约降低了75%,高度约降低了40%;薄膜型则可降低95%的安装空间和80%的高度。因此,这些微片变压器可使陆地数字广播移动设备做的更小、更薄。 zetex则推出一系列微型npn及pnp晶体管,以迎合新一代电源设备中mosfet栅极驱动需求。全新zxtn及zxtp 晶体管是采用sot23ff封装的双极器件,占板面积为2.5 x 3mm,板外高度只有1m m。zxtn19020cff和zxtp19020cff能保证在7a和5a电流下分别提供100和110的增益。 同时,连接器产业正向技术驱动型产业转化,tyco、molex、fci等各大公司均在积极升级产品,抢占市场。molex即开发出一种为投影仪中的超高亮度灯泡供电的小型连接器解决方案,可用于lcd(液晶)、lcos(硅基液晶)和dlp( 数字光学处理)型投影仪。molex投影仪灯泡电源解决方 案包 括 一对两路13.00mm间距的线对线连接器,可传输峰值高达20kv的直流高压,工作温度范围可达20℃至150℃。而作为最大的连接器供应商,t

  • Zetex高性能晶体管有效提升电源功率密度

    它们可提供更低的饱和电压和更高的电流增益保持,有助于改善电路效率和降低工作温度。 zetex亚太区销售副总裁李锦华表示:“我们最新的双极晶体管能够支持20v至100v的工作电压,使mosfet栅极能以更高速度、更具效率地运行,胜过同类cmos集成电路。它们同时还具有抗锁定功能,从而提升整个系统的可靠性。另外,由于产品采用sot23ff封装,因此可以安装在最靠近mosfet的位置,有助于降低线路电感和振铃效应。” 20v的zxtn19020cff和zxtp19020cff能保证在7a和5a电流下分别提供100和110的增益。如果采用共发射极配置连接,它们更能提供极快速的切换,传播时间少于2ns,升降时间在10ns和20ns之间。该类产品的峰值电流性能高达15a,是用于栅极驱动集成电路极具成本效益的替代产品。 在用于pol dc-dc模块和应急照明设备的、采用自振荡和推挽拓朴结构的饱和式开关应用中,晶体管的低饱和电压能力可提供显著的优势。以额定电压为60v的zxtn19060cff npn产品为例,它在1a电流和10ma基极驱动下的饱和电压仅

zxtp19020cff替代型号

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