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ZXMC6A09DN8TA

更新时间:2024-04-19 13:36:18
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ZXMC6A09DN8TA 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:ID=5.1A&-4.8A/IDM=25.4A&-23.8A/IS=3.5A&-3.3A/ISM=25.4A&-23.8A
    电压参数:UDSS=60V&-60V/UGS=±20V
    功  率:PD=1.25W
    其他参数:10V/0.045Ω,4.5V/0.07Ω&-10V/0.055Ω,-4.5V/0.08Ω,trr=26.3ns&30.6ns
    极  性:N/P

ZXMC6A09DN8TA的中文资料 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准

ZXMC6A09DN8TA外观图

  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.9A,3.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:45 毫欧 @ 8.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:24.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1407pF @ 40V
  • 功率 - 最大:1.25W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOP
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:ZXMC6A09DN8TATR

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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