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13002

更新时间:2024-04-25 05:06:54
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  • 厂家:SEMTECH_ELEC[SEMTECH ELECTRONICS LTD.]
  • 描述:Dated : 22/08/2016 Rev: 01 ? SEMTECH ELECTRONICS LTD. 13002 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor High voltage power transistor Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage V CBO 700 V Collector Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter Base Voltage V EBO 9 V Collector Current I C 0.2 A Collector Current (Pulse) I CP 0.5 A Total Power Dissipation P tot 0.6 W Operating Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T stg - 55 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Max. Unit DC Current Gain at V CE = 10 V, I C = 10 μA at V CE = 10 V, I C = 100 mA at V CE = 10 V, I C = 200 mA h FE h FE h FE 10 20 10 40 40 40 - - - Collector Base Cutoff Current at V CB = 700 V I CBO - 100 μA Emitter Base Cutoff Current at V EB = 7 V I EBO - 10 μA Collector Base Breakdown Voltage at I C = 10 mA V (BR)CBO 700 - V Coll
  • 扭矩工具类型::可调
  • 扭矩范围 ft-lb::0.83ft-lb 到 4.17ft-lb
  • 驱动器大小-帝国::0.25"
  • 总长::170mm
  • 精度, %::3%
  • 范围/量程::10-50 lbf.in
  • 驱动器尺寸::0.25"
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