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厂家：DYELEC[DIYI Electronic Technology Co., Ltd.]
描述：15N10 1 / 8 May,201 5-REV.00 www.dyelec.com 1. Gate 2. Drain 3. Source Pin Definition: PRODUCT SUMMARY V DS (V) R DS(on) (m?) I D (A) 100 110@ V GS =10V 15 ● ● ● ● 100V N-Channel Power MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T C =25°C, unless otherwise specified) R DS(ON) < 110m? @ V GS =10V Advanced high cell density Trench technology Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline Lead free in compliance with EU RoHS directive. Green molding compound Ordering Information ● Case: TO-252 Part No. Package Packing DMD15N10-TR TO-252 2.5Kpcs / 13” Reel Block Diagram D G S ● ● THERMAL DATA DMD15N10-TU TO-252 75pcs / Tube Parameter Symbol Ratings Unit Drain-Source Voltage V DS 100 V Gate-Source Voltage V GS ±20 V Continuous Drain Current 1 I D @TC=25 ℃ 15.0 A Continuous Drain Current 1 I D @TC=70 ℃ 13.8 A Pulsed Drain Current 2 I DM 24 A Total Power Dissipation 4 P D @TC=25 ℃ 34.7 W Total Power Dissipation P D @TA=25 ℃ 2 W Single Pulse Avalanche Energy
现有数量：2,478现货
价格：1 : ￥4.61000剪切带（CT）2,500 : ￥1.63672卷带（TR）
系列：UMW
包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态：在售
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：110 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：632 pF @ 50 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：55W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：TO-252（DPAK）
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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