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1N4446

更新时间:2024-09-26 00:13:57
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  • 其它信息：

    电流参数：IF(AV)=200mA/IFSM=1A/IR(UR=20V)=25nA
    电压参数：URRM=100V/UR(IR=100μA)=100V/UF(IF=20mA)=1V
    功  率：PD=500mW
    其他参数：trr=4ns
    备  注：小信号二极管

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1N4446外观图

  • 大小：726.94KB
  • 厂家：SUNMATE/森美特
  • 描述：Thermal Characteristics Electrical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units V RRM Maximum Repetitive Reverse Voltage 100 V I F(AV) Average Rectified Forward Current 200 mA I FSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current Pulse Width = 1.0 second Pulse Width = 1.0 microsecond 1.0 4.0 A A T stg Storage Temperature Range -65 to +200 °C T J Operating Junction Temperature 175 °C Symbol Parameter Value Units P D Power Dissipation 500 mW R θJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 300 °C/W Symbol Parameter Test Conditions Min Max Units V R Breakdown Voltage I R = 100 μ A 100 V V F Forward Voltage I F = 20 mA 1.0 V I R Reverse Current V R = 20 V V R = 20 V, T A = 150°C 25 50 nA μ A C T Total Capacitance V R = 0, f = 1.0 MHz 4 pF t rr Reverse Recovery Time I F = 10 mA, V R = 6 V, R L = 100 ? , I = 1.0 mA 4 ns 0.079(2.0) MAX 0.020(0.52) TYP 0.165 (4.2) MAX 1.0 2(26.0) MIN. 1.0 2(26.0) MIN.
  • 标准包装：2,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：单二极管/整流器
  • 系列：-
  • 二极管类型：标准
  • 电压 - (Vr)（最大）：100V
  • 电流 - 平均整流 (Io)：200mA
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）：1V @ 20mA
  • 速度：小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)：4ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电：25nA @ 20V
  • 电容@ Vr, F：4pF @ 0V，1MHz
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
  • 供应商设备封装：DO-35
  • 包装：散装
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