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1N4448WS

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1N4448WS 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:IFM=500mA/IO=250mA/IR(UR=75V)=2.5nA
    电压参数:URM=100V/URRM=URWM=UR=75V/UR(RMS)=53V/U(BR)R(IR=2.5μA)=75V/UFM(IF=10mA)=0.85V

    功  率:PD=200mW
    其他参数:trr=4ns
    备  注:贴片快速开关二极管

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  • 大小:219.99KB
  • 厂家:TD
  • 描述:Dated : 15/06/2012 TOP DYNAMIC 1N4448WS Silicon Epitaxial Planar Switching Diode Fast Switching Diode Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Peak Reverse Voltage V RM 100 V Reverse Voltage V R 80 V Average Rectified Forward Current I F(AV) 150 mA Forward Continuous Current I FM 300 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (at t = 1 μs) I FSM 0.5 A Power Dissipation P d 200 mW Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T stg - 65 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Max. Unit Forward Voltage at I F = 5 mA at I F = 10 mA at I F = 100 mA at I F = 150 mA V F 0.62 - - - 0.72 0.855 1 1.25 V Reverse Leakage Current at V R = 80 V at V R = 20 V at V R = 75 V, T J = 150 O C at V R = 25 V, T J = 150 O C I R - - - - 100 25 50 30 nA nA μA μA Reverse Breakdown Voltage at I R
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:单二极管/整流器
  • 系列:-
  • 二极管类型:标准
  • 电压 - (Vr)(最大):75V
  • 电流 - 平均整流 (Io):150mA
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1V @ 100mA
  • 速度:小信号 =
  • 反向恢复时间(trr):4ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电:5µA @ 75V
  • 电容@ Vr, F:4pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-90,SOD-323F
  • 供应商设备封装:SOD-323F
  • 包装:Digi-Reel®
  • 其它名称:1N4448WSFSDKR
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