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1N5230BT

更新时间:2025-05-21 00:55:37
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1N5230BT 规格参数
  • 制造商
    Fairchild Semiconductor
  • 齐纳电压
    4.7 V
  • 电压容差
    5 %
  • 电压温度系数
    +/- 0.03 % / C
  • 功率耗散
    500 mW
  • 最大反向漏泄电流
    2 uA
  • 最大齐纳阻抗
    19 Ohms
  • 最大工作温度
    + 200 C
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    DO-35
  • 封装
    Reel
  • 最小工作温度
    - 65 C
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芯知识
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广东微尔科技有限公司
1N5230BT推荐型号
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