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1N6012B

更新时间:2025-05-16 14:35:26
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1N6012B外观图

1N6012B

Fairchild Semiconductor 单二极管/齐纳

DIODE ZENER 33V 500MW DO-35

  • 封装:DO-204AH，DO-35，轴向
1N6012B 规格参数
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    单二极管/齐纳
  • 系列
    -
  • 电压 - 齐纳（标称）(Vz)
    33V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
    1.2V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电
    100nA @ 25V
  • 容差
    ±5%
  • 功率 - 最大
    500mW
  • 阻抗（最大）(Zzt)
    88 欧姆
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    DO-204AH，DO-35，轴向
  • 供应商设备封装
    DO-35
  • 包装
    散装
  • 工作温度
    -65°C ~ 200°C
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