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1PS10SB62

更新时间:2025-07-04 00:02:34

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1PS10SB62 概述

1PS10SB62是Nexperia公司生产的一款P沟道增强型MOSFET。它采用SOT363封装，这种小型封装非常适合高密度表面贴装应用。该MOSFET的最大漏源电压（VDS）为-60V，在25℃时连续漏电流（ID）可达-0.85A。其低导通电阻（RDS(on)）特性有助于减少在开关和导电过程中的功率损耗。这款MOSFET适用于电池供电设备、负载开关以及DC - DC转换器等场景。例如，在便携式电子设备中用作电源管理部分的负载开关，能够有效地控制电路中不同模块的电源通断，从而提高设备的整体能效并延长电池使用寿命。在使用时要注意其最大额定值，避免超过最大漏源电压和电流限制，以免造成器件损坏。

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