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24AA512

更新时间:2024-04-13 11:03:55
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    单电源操作时电压下降至1.7V;低功率CMOS工艺:典型有源电流:400μA,典型待机电流100μA;2线串行接口,I2CTM兼容;可级联8个装置;施密特触发器抑制噪声;输出斜率控制以避免地弹;兼容100kHz和400kHz时钟频率;最大页写入时间:5ms;自定时擦/写周期;128字节页写入缓冲区;硬件写保护;ESD静电保护>4000V;1000000次的擦/写操作;数据保留>200年;无铅和遵从RoHS标准;温度范围:-40~+85℃;VCC范围:1.7~5.5V;最大时钟频率:400kHz

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24AA512 相关信息
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    ...一款采用8-pad DFN(dual flat no-lead)封装规格之512 Kbit I2C兼容序列电子抹除式只读存储器(EEPROM,Electrically Erasable & Programmable ROM)组件。 此系列产品包括「24LC512」、「24AA512」以及「24FC512」,皆采用Microchip的先进PMOS Electrically Erasable Cell(PEEC)制程技术,让Microchip能在最薄的封装规格(0.9毫米)中提供高密度、低功耗的EEPROM组件。而6毫米×5...
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