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24AA515T-I/SM

更新时间:2024-11-06 12:14:23
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  • 其它信息：

    低功率CMOS工艺：最大写入电流：3mA（电压5.5V），最大读出电流500μA（电压5.5V），典型标准待机电流100μA（电压5.5V）；2线串行接口总线，I2CTM兼容；可级联4个装置；自定时擦/写周期；可用的64字节页写入模式；最大写入周期5ms； 对所有阵列硬件写保护；输出斜率控制以避免地弹；施密特触发器抑制噪声；ESD静电保护＞4000V；1000000次的擦/写操作；数据保留＞200年；温度范围：－40～＋85℃； VCC范围：1.8～5.5V；最大时钟频率：400kHz；引脚镀层：无铅-锡

  • 引脚图：

    24AA515T-I/SM引脚图

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