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其它信息:
单电源操作时电压:4.5~5.5V;低功率CMOS工艺:典型读出电流:1mA,典型待机电流:10μA;2线串行接口,I2CTM兼容;可级联8个装置;施密特触发器抑制噪声;输出斜率控制以避免地弹;兼容100kHz和400kHz时钟频率;快速页和字节写入时间:1ms;自定时写周期(包括自动擦除);页式写入缓冲区16个字节;ESD静电保护>4000V;多于1000000次的擦/写操作;数据保留>200年;可用的工厂模式编程;无铅和遵从RoHS标准;可用温度范围:-40~+85℃/-40~+125℃;温度范围:-40~+125℃
引脚图: