其它信息：
低功率CMOS工艺；硬件写保护；2线串行接口总线，I2CTM兼容；电压5.0V下运行；自定时擦/写周期；页式写入缓冲区；单字节写入时间周期：1ms；多于1000000次的擦/写操作；数据保留＞200年 可用温度范围：0～＋70℃/－40～＋85℃/－40～＋125℃；组织结构：2×256×8；写保护：100-1FF；页式写入缓冲区：8字节；温度范围：0～＋70℃
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