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24C08B

更新时间:2024-04-16 22:15:59
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24C08B 相关资料
  • 其它信息:

    单电源操作电压:4.5~5.5V;低功率CMOS工艺:典型有源电流:1mA,最大待机电流:10μA(电压5.5V);4块256字节(4×256×8)或8块256字节(8×256×8)块组成;2线串行接口总线,I2CTM兼容;施密特触发器抑制噪声;输出斜率控制以避免接地反弹;兼容100kHz;自定时擦/写周期;页写入缓冲区16字节典型页写入时间周期:2ms;对所有的存储器硬件写保护;可以用作一个串行的ROM;SD静电保护>4000V;1000000次的擦/写操作;数据保留>200年; 可用温度范围:-40~+125℃

  • 引脚图:

    24C08B引脚图

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  • 大小:418.44KB
  • 厂家:Microchip
  • 描述:8K/16K 5.0V I2C™ Serial EEPROMs

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