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其它信息:
低功率CMOS工艺:最大写入电流:3mA(电压5.5V),最大读出电流500μA(电压5.5V),典型标准待机电流100nA(电压5.5V);2线串行接口总线,I2CTM兼容;可级联4个装置;自定时擦/写周期;可用的64字节页写入模式;最大写入周期:5ms;对所有阵列硬件写保护;输出斜率控制以避免地弹;施密特触发器抑制噪声;ESD静电保护>4000V;1000000次的擦/写操作;数据保留>200年;温度范围:-40~+85℃;VCC范围:2.5~5.5V;最大时钟频率:1MHz;引脚镀层:无铅-锡
引脚图: