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2N2102

更新时间:2025-06-26 09:44:11
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2N2102外观图

2N2102

STMicroelectronics 晶体管(BJT) - 单路

TRANSISTOR NPN 120V 1A TO-39

  • 封装:TO-205AD，TO-39-3 金属罐
2N2102 规格参数
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    65V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    500mV @ 15mA，150mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    40 @ 150mA，10V
  • 功率 - 最大
    1W
  • 频率 - 转换
    -
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-205AD，TO-39-3 金属罐
  • 供应商设备封装
    TO-39
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    497-2636-5
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