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2N3053

更新时间:2024-04-24 16:02:00
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    15.0A/100V

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2N3053外观图

  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
  • 最大直流电集电极电流:0.7 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:25
  • 最大工作频率:100 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-39
  • 封装:Box
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:5 W
  • 工厂包装数量:500
2N3053 相关信息
  • 7MHz±50kHz振荡电路
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