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2N3209

更新时间:2025-06-21 01:27:57
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2N3209 规格参数
  • 制造商
    Central Semiconductor
  • 产品种类
    Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性
    PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    20 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    4 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
    25
  • 配置
    Single
  • 最大工作频率
    400 MHz
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    TO-18
  • 封装
    Box
  • 工厂包装数量
    2000
2N3209 Datasheet数据手册 PDF下载
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