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2N3497

更新时间:2025-06-30 15:36:33
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2N3497 规格参数
  • 制造商
    Central Semiconductor
  • 产品种类
    Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性
    PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    120 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    4 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
    40 at 10 mA at 10 V
  • 配置
    Single
  • 最大工作频率
    150 MHz
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    TO-18
  • 封装
    Bulk
  • 集电极连续电流
    0.45 A
  • 工厂包装数量
    2000
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