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2N3707

更新时间:2024-09-19 14:33:46
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  • 其它信息:

    0.03A/30V

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2N3707外观图

  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
  • 最大直流电集电极电流:0.2 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:100
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-92
  • 封装:Box
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:625 mW
  • 工厂包装数量:2500
2N3707 相关信息
  • 带输出放大器和自动幅度控制电路的光电隔离电路
    该电路具有长时间频率稳定性,可以忽略环境温度的变化,并且消除了脉动负载对频率的影响。振荡器采用发射极耦合电路,晶体管为低噪声2N3707。此外,还给出了输出放大器和自动幅度控制电路,本电路为业余无线电爱好者用设备而设计。 来源:安静的云朵
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