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2N3859A

更新时间:2024-04-23 16:57:34
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2N3859A外观图

  • 标准包装:2,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):-
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 1mA,1V
  • 功率 - 最大:625mW
  • 频率 - 转换:250MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装:TO-92-3
  • 包装:散装
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