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2N3904RLRP

更新时间:2025-05-11 08:31:03
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2N3904RLRP外观图

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
  • 最大直流电集电极电流：0.2 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：40 at 0.1 mA at 1 V
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：300 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-92-3 (TO-226)
  • 封装：Ammo
  • 集电极连续电流：0.2 A
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：625 mW
  • 工厂包装数量：2000
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