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2N3906-AP

更新时间:2025-07-03 22:11:56
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2N3906-AP 规格参数
  • 产品培训模块
    Diode Handling and Mounting
  • 标准包装
    2,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    400mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    100 @ 10mA，1V
  • 功率 - 最大
    600mW
  • 频率 - 转换
    250MHz
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
  • 供应商设备封装
    TO-92
  • 包装
    带盒（TB）
  • 其它名称
    2N3906-APTB
2N3906-AP Datasheet数据手册 PDF下载
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