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2N4013

更新时间:2025-04-28 14:12:23
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  • 其它信息：

    1.0A/50V

2N4013的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：Central Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：60
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：300 MHz
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-18
  • 封装：Box
  • 工厂包装数量：500
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