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2N4405

更新时间:2025-05-22 02:52:08
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2N4405 规格参数
  • 制造商
    Central Semiconductor
  • 产品种类
    Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性
    PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    80 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    5 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
    30
  • 最大工作频率
    600 MHz
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    TO-39
  • 集电极连续电流
    1 A
  • 功率耗散
    1.25 W
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