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2N4922

更新时间:2024-04-09 16:55:46
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2N4922 相关资料

  • 其它信息：

    1.0A/60V

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2N4922外观图

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：40
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：3 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-225-3
  • 封装：Bulk
  • 集电极连续电流：3 A
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：30 W
  • 工厂包装数量：500
2N4922 相关信息
  • 电流变送器的工作原理及其应用
    ...桥提供+2.5V的电源电压。前置放大器采用TL061型单运放（亦可采用OPA2277型双运放，仅用其中的一个运放），由+5V稳压器单独给运放供电。RI为20kΩ输入电阻，C为降噪电容，VT为外部NPN功率管，可选2N4922,TIP29C或TIP31B等型号。以2N4922为例，其主要参数为UCEO=60V,ICM=1A,PCM=30W.该电路的工作原理是当试件受力时，应变桥输出的电压信号首先经过前置放大器放大成0.8~4V的输入电压UI,再通过...
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