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2N5058

更新时间:2025-07-05 00:12:31
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2N5058 规格参数
  • 制造商
    Central Semiconductor
  • 产品种类
    Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性
    NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    300 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    7 V
  • 最大直流电集电极电流
    0.15 A
  • 配置
    Single
  • 最大工作频率
    30 MHz (Min)
  • 最大工作温度
    + 200 C
  • 封装 / 箱体
    TO-39
  • 最小工作温度
    - 65 C
  • 功率耗散
    1 mW
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