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2N5416S

更新时间:2025-05-14 12:59:38
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2N5416S外观图

  • 大小：61.36KB
  • 厂家：MICROSEMI [Microsemi Corporation]
  • 描述：PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR
  • 现有数量：0现货查看交期
  • 价格：100 : ￥271.05190散装
  • 系列：-
  • 包装：散装
  • 产品状态：在售
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 μA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：2V @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：50μA
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 50mA，10V
  • 功率 - 最大值：750 mW
  • 频率 - 跃迁：-
  • 工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
  • 供应商器件封装：TO-39（TO-205AD）
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