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2N5458

更新时间:2024-04-23 22:37:41
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2N5458外观图

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：JFET（结点场效应
  • 系列：-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：2mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss)：25V
  • 漏极电流 (Id) - 最大：-
  • FET 型：N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：25V
  • 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：1V @ 10nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：7pF @ 15V
  • 电阻 - RDS（开）：-
  • 安装类型：通孔
  • 包装：散装
  • 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装：TO-92-3
  • 功率 - 最大：310mW
  • 其它名称：2N5458OS
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