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2N5680

更新时间:2025-05-13 03:58:36
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  • 制造商：Central Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：120 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：4 V
  • 最大直流电集电极电流：1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：40 at 250 mA at 2 V
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：30 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-39
  • 封装：Box
  • 集电极连续电流：0.45 A
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：1 W
  • 工厂包装数量：500
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