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2N5805

更新时间:2025-07-05 05:09:36

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2N5805 概述

2N5805是一款由安森美半导体公司（ON Semiconductor）生产的高压功率MOSFET。该器件设计用于需要高电压处理能力的开关应用，最大漏源电压可达600V，适用于多种电源转换和管理场景。常见应用场景包括交流-直流（AC-DC）和直流-直流（DC-DC）转换器、不间断电源系统（UPS）、电机驱动以及工业自动化设备中的高压侧开关控制。其低导通电阻特性有助于提高能效，减少功耗。在实际使用中，需注意栅极驱动电路的设计，以确保MOSFET能够完全开启和关闭，避免因不完全导通导致的过热现象。此外，在布局PCB时应尽量缩短高频节点间的距离，减少寄生电感对电路性能的影响。对于需要快速开关特性的应用，可考虑并联一个适当值的小电容以优化开关速度。

2N5805 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
-
包装
散装
产品状态
在售
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
5 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
300 V
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
-
功率 - 最大值
62 W
频率 - 跃迁
-
工作温度
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装
TO-3

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