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2N6075B

更新时间:2025-05-23 19:19:49
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2N6075B 规格参数
  • 制造商
    ON Semiconductor
  • 产品种类
    双向可控硅
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM
    600 V
  • 最大转折电流 IBO
    30 A
  • 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）
    10 uA
  • 栅触发电压 (Vgt)
    2.5 V
  • 栅触发电流 (Igt)
    5 mA
  • 保持电流（Ih 最大值）
    15 mA
  • 正向电压下降
    2 V
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    TO-225-3
  • 封装
    Box
  • 最大工作温度
    + 110 C
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 重复峰值正向闭塞电压
    600 V
  • 工厂包装数量
    500
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