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2N6387G

更新时间:2025-06-17 08:00:36

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市诚研翔科技有限公司
2N6387G
BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
上传BOM

我要上特价
2N6387G
今日特价
展示实力的机会，更是体现服务的开始！

深圳市杰兴伟业电子有限公司
2N6387G
300000
onsemi(安森美)
TO220/23+
一级代理商可提供技术方案支持

深圳市博伟奇电子有限公司
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12260
ON
TSSOP/23+
高品质优选好芯

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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8913
ON/安森美
TO220/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分

深圳市岳泰达电子有限公司
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12500
ON
TSSOP/25+
16年老牌企业原装低价现货

深圳市南烽电子有限公司
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5000
ON
TSSOP/25+
原装现货，价格优势，提供配单服务

深圳市得捷芯城科技有限公司
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7764
onsemi(安森美)
TO220/23+
原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市安富世纪电子有限公司
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105000
ON/安森美
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十年配单，只做原装

深圳市创芯联盈电子有限公司
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一级代理专营品牌原装，优势现货，长期排单到货

深圳市芯乐创科技有限公司
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-/26+
只做原装，专注提供BOM配单服务

深圳市万佳电子贸易有限公司
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原装现货

深圳市科翼源电子有限公司
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2490
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TO220/26+
原装现货

深圳市宏世佳电子科技有限公司
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TO220AB/2025+
全新原装、公司现货热卖

深圳市海淘芯城科技有限公司
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TO220/26+
只做原厂原装告别繁琐踩坑一站式搞定BOM元件采购

深圳市楚胜电子有限公司
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房间现货，价格优势。

现代芯城（深圳）科技有限公司
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78000
一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

贸泽芯城（深圳）电子科技有限
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TO220/23+ROHS
原装，原厂渠道，十年BOM配单专家

深圳市芯国创科技有限公司
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原装现货,提供优质配单服务

深圳市思跃电子有限公司
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20000
ON
-/-
-

深圳市科圳威电子有限公司
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60701
ON
TSSOP/24+
深圳原装现货，可看货可提供拍照

昂富（深圳）电子科技有限公司
2N6387G
32118
onsemi/安森美
TO220/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

深圳市金嘉锐电子有限公司
2N6387G
16000
ON
TO2203/2026+
原装优势有货

深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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60000
ON
TO2203LEADSTANDA/2025+
专营三极管质量保证

艾润（香港）电子有限公司
2N6387G
47892
On Semiconductor
50/2017+
原装部分现货量大期货

深圳市驰源科技有限公司
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4000
TSSOP
ON/22+
只做原装，提供一站式配单

深圳市君云达电子科技有限公司
2N6387G
8057
ON
TO220/24+
原装正支持实单

深圳市佳芯恒业科技有限公司
2N6387G
50
Onsemi
-/23+
优势国外原装现货2周，价优

深圳市英德州科技有限公司
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22050
onsemi(安森美)
TO220/23+
原厂/代理/含税/送样/终端技术支持

瀚佳科技（深圳）有限公司
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65200
ON(安森美)
TO220/26+
-

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8300
ON/安森美
TO220/2020+
只卖原装正品

深圳市永贝尔半导体有限公司
2N6387G
9200
ON
TSSOP/23+
只做原装更多数量在途订单

深圳市优尚半导体科技有限公司
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优势产品大量库存原装现货

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原厂
N/A/22+
只做原装欢迎监督

深圳市花芯科技有限公司
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55800
ON/安森美
TO220/22+
原装现货，一站配齐，可开专票

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原装现货，支持BOM配单服务

深圳市起芯科技有限公司
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起芯诚信，满足多元化的需求

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2N6387G外观图

2N6387G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS DARL NPN 8A 60V TO220AB

封装:TO-220-3

2N6387G 概述

2N638 jadxG是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高压功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场合。其最大漏源电压可达600V，能够满足大多数工业和消费类电子产品的高压需求。在实际应用中，2N6387G常用于不间断电源（UPS）、逆变器和照明系统等需要高效能量转换的设备中。例如，在设计一个反激式开关电源时，可以选用2N6387G作为主开关管，利用其快速的开关速度减少开关损耗，提高电源效率。同时，由于其具备良好的雪崩耐量，能够有效应对瞬态过压情况，增强系统的可靠性。需要注意的是，在使用过程中应确保栅极驱动电路设计合理，避免出现过冲或振荡现象，防止损坏MOSFET。此外，为优化热性能，建议散热片或风扇，以保证器件在高负荷条件下稳定运行。

2N6387G 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
10A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
3V @ 100mA，10A
电流 - 集电极截止（最大）
1mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
1000 @ 5A，3V
功率 - 最大
2W
频率 - 转换
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
2N6387G-ND2N6387GOS

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