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2N6507T

更新时间:2025-07-03 17:51:39
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2N6507T 规格参数
  • 制造商
    ON Semiconductor
  • 产品种类
    SCR
  • 最大转折电流 IBO
    250 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM
    400 V
  • 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）
    0.01 mA
  • 正向电压下降
    1.8 V
  • 栅触发电压 (Vgt)
    1.5 V
  • 栅触发电流 (Igt)
    30 mA
  • 保持电流（Ih 最大值）
    40 mA
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    TO-220-3
  • 封装
    Tube
  • 最大工作温度
    + 125 C
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 工厂包装数量
    50
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