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2N6519BU

更新时间:2025-04-15 15:24:56
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BAT760-7K4T1G164QF-BCE6MMSZ5241BQSC6010TLP781GR74HC74PWHY57V281620ETP-HTL594CN
2N6519BU的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2N6519BU外观图

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：300V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：40 @ 50mA，10V
  • 功率 - 最大：625mW
  • 频率 - 转换：200MHz
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装：TO-92-3
  • 包装：散装
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