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2N6756

更新时间:2025-05-05 22:39:01
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  • 其它信息：

    14.0A/100V

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2N6756外观图

  • 品牌：Microsemi Corporation
  • 描述：MOSFET N-CH 100V TO-3
  • 包装：1/散装
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：14A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：210 毫欧 @ 14A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：35nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 功率耗散（最大值）：4W（Ta），75W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-204AA
  • 封装/外壳：TO-204AA，TO-3
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