2N6790是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的高压大功率晶体管。该晶体管采用TO-3金属封装，具有高击穿电压和大电流处理能力的特点。其主要电气特性包括高集电极-发射极击穿电压，适用于需要耐高压的功率放大器和开关电路中。典型应用场景涵盖电源管理、逆变器、电机驱动以及工业控制系统等。例如，在开关电源设计中，可以利用其高电压转换效率实现能量的有效传输；在电机驱动电路里，它能够承受较大的瞬态电流冲击，保证电机启动和运行过程中的稳定性。此外，还常见于不间断电源(UPS)系统，确保在市电中断时能迅速切换到备用电池供电模式，并维持稳定的输出电压。使用时应注意散热设计，因为大功率工作状态下会产生较多热量，需配备合适的散热器以避免过热损坏。同时要关注基极电流控制，防止因电流过大造成器件失效。在实际布线时，尽量缩短引线长度减少寄生电感影响，提升整体电路性能。

2N6790 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
800 毫欧 @ 2.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
14.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
800mW（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-39
封装/外壳
TO-205AF 金属罐

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