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2N6849

更新时间:2025-06-10 07:52:05
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2N6849 规格参数
  • 典型关断延迟时间
    70 ns
  • 典型接通延迟时间
    30 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs
    25 常闭 V @ 15
  • 典型输入电容值@Vds
    800 pF V @ 25
  • 安装类型
    通孔
  • 宽度
    9.4mm
  • 封装类型
    TO-39
  • 尺寸
    9.4 x 9.4 x 4.57mm
  • 引脚数目
    3
  • 最低工作温度
    -55 °C
  • 最大功率耗散
    25 W
  • 最大栅源电压
    ±20 V
  • 最大漏源电压
    100 V
  • 最大漏源电阻值
    0.3
  • 最大连续漏极电流
    6.5 A
  • 最高工作温度
    +150 °C
  • 每片芯片元件数目
    1
  • 类别
    功率 MOSFET
  • 通道模式
    增强
  • 通道类型
    P
  • 配置
    单
  • 长度
    9.4mm
  • 高度
    4.57mm
芯知识
3.3万
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苏州固锝电子股份有限公司
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