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2N6849U

更新时间:2025-06-17 09:27:27

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2N6849U 概述

2N6849U是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款高压晶体管。该器件采用表面贴装封装，具备高击穿电压和低导通电阻特性。其设计主要用于需要高压开关操作的场合，如电源管理电路、电机驱动控制以及工业自动化设备中的开关应用。在电源管理系统中，可以有效地实现电压调节和转换功能；在电机驱动方面，则能精确地控制电机的速度与方向。此外，在工业自动化领域，可用于执行器的驱动控制，提高系统的响应速度和稳定性。实际使用时应注意散热设计，因为大电流工作下会产生较多热量。例如，在设计一个直流电机驱动电路时，需根据电流大小选择合适的散热片或冷却方式，并确保晶体管的基极驱动电流足够以保证可靠导通。同时要关注布线布局，尽量减小寄生电感对电路性能的影响。对于不同的负载条件，可能还需要调整外围电阻电容参数来优化电路性能。

2N6849U 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
300 毫欧 @ 4.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
34.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
800mW（Ta），25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
18-ULCC（9.14x7.49）
封装/外壳
18-CLCC

芯产品

4.2万

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广东微尔科技有限公司

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