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2N7002BKV,115

更新时间:2025-05-18 12:37:24
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2N7002BKV,115外观图

2N7002BKV,115

NXP Semiconductors FET - 阵列

MOSFET N-CH 60V 340MA SOT666

  • 封装:SOT-563，SOT-666
2N7002BKV,115 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    340mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    1.6 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    0.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    50pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    350mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装
    SOT-666
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    568-5979-6
芯知识
1.7万
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广东微尔科技有限公司
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