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2N7002DW H6327

更新时间:2025-05-20 01:25:36
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2N7002DW H6327 规格参数
  • 数据列表
    2N7002DW
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    OptiMOS™
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    300mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    3 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    0.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    20pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    500mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装
    PG-SOT363-6
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    2N7002DW H6327-ND2N7002DWH6327XTSA1SP000917596
芯知识
1.7万
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广东微尔科技有限公司
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