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2N7002E

更新时间:2025-07-05 17:43:12

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香港晨兴安富利电子有限公司
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深圳市鸿博高科电子有限公司
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原装现货.假一罚十

深圳市东鸿鼎业科技有限公司
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十年芯程一路原装

深圳市伟科芯电子科技有限公司
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杭州维库信息科技有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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深圳市萨科微半导体有限公司
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深圳市创德丰电子有限公司
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原装现货，一站式BOM表配单，终端可以免费供样

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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一级代理，原装价格优势长期供货

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深圳市联捷科技有限公司
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深圳市宏创兴泰电子有限公司
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有上有货原装现货可看货，提供配单服务

深圳市芯福林电子科技有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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2N7002E 概述

2N7002E是由多家半导体厂商生产的N沟道增强型MOSFET。它采用SOT-23封装，这种小型封装使其非常适合在空间受限的应用中使用。该芯片具有低导通电阻特性，在低电压电路中能有效降低功耗。其栅极阈值电压较低，易于通过微控制器或其他逻辑器件进行驱动控制。2N7002E常用于开关电源、直流 - 直流转换器以及各种信号切换和放大电路等场景。例如在电池供电设备中，可用于负载开关或者电源管理部分的电路，以提高整体效率并减少发热。在实际应用时，需注意保证其工作环境温度在规定范围内，并且正确处理静电防护以免造成损坏。

2N7002E 规格参数

标准包装
1,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
240mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 欧姆 @ 250mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
21pF @ 5V
功率 - 最大
350mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
包装
带卷 (TR)

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