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2N7002KT1G

更新时间:2025-06-11 18:17:55

供应商
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香港晨兴安富利电子有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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有挂就有货

深圳闻舟科技有限公司
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昂富（深圳）电子科技有限公司
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军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

深圳市粤东诚信电子有限公司
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SOT23/25+
t只做原装

深圳市联芯德科技有限公司
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原装现货，销售并回收库存

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深圳市铠翰智能工控有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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深圳市弘为电子有限公司
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多光耦品牌授权代理，只做原装，支持开票

中山市翔美达电子科技有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市龙源达微电子有限公司
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只做原装正品，微信13728691917欢迎致电咨询

北京天阳诚业科贸有限公司
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SOT233/2404
现货常备库存京北通宇商城可查价格

深圳市伟科芯电子科技有限公司
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ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23

封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

2N7002KT1G 概述

2N7002KT1G是安森美半导体生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种低功率应用。其最大漏极 - 源极电压为60V，在25°C下连续漏极电流可达300mA。典型应用包括负载开关、电源管理以及信号放大等消费类电子产品领域。在实际应用中，使用时需注意栅极驱动电压应足够以确保完全开启MOSFET，推荐驱动电压范围为4.5V至10V。若用于电池供电设备，由于其低功耗特性可有效延长设备工作时间。设计电路时，确保源极与栅极间添加适当阻值的电阻防止误导通。

2N7002KT1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
320mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
24.5pF @ 20V
功率 - 最大
300mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
包装
带卷 (TR)
其它名称
2N7002KT1G-ND2N7002KT1GOSTR

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